X-FAB menambah 375V NMOS dan PMOS super-simple transistor ke proses cip BCD

Generasi kedua peranti primitif voltan tinggi XT018 yang tinggi, mereka meliputi 45 hingga 375V dalam satu modul proses dan ditujukan kepada aplikasi seperti pemancar ultrasound perubatan-penerima ICS dan sensor IOT berkuasa AC.

Peranti NMOS-PMOS pelengkap yang layak untuk -40 hingga + 175 ° C dan boleh dimasukkan ke dalam produk AEC-Q100 Gred 0 Automotif.

"Buat pertama kalinya, pelanggan dapat merancang IC yang sangat bersepadu yang boleh dikuasakan secara langsung dari 230V AC utama," menurut syarikat itu. "Ini membuka pilihan kuasa alternatif kepada peningkatan bilangan kelebihan IOT yang kini mula digunakan. Digabungkan dengan XT018 EFlash yang layak, pelaksanaan peranti Pintar IOT juga mungkin. "

Syarikat itu mendakwa bahawa peranti yang dibuat pada BCD-On-Soi adalah bebas selak, dan telah meningkatkan prestasi EMC dan mengendalikan bahagian bawah tanah yang lebih baik daripada peranti BCD Bulk.

Untuk ics ultrasound perubatan, X-FAm juga telah mengeluarkan modul PMOS RDS yang rendah dengan peranti primitif PMOS yang baru beroperasi sehingga 235V. Mereka dikatakan mempunyai 40% lebih rendah berbanding dengan peranti PMOS super persimpangan generasi ke-2. Idea ini adalah untuk lebih baik-sepadan dengan rintangan dan ID (SAT) transistor kuasa NMOS di cip.